ST Microelectronics développe la filière technologique FD-SOI

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STMicroelectronics annonce ce jour une nouvelle étape vers la disponibilité de sa plate-forme technologique FD-SOI (Fully Depleted-Silicon on Insulator) de 28 nm, qui est à présent disponible pour les opérations de pré-production dans son usine de 300 mm située à Crolles (Isère). Cette annonce confirme la capacité de ST à proposer sa technologie planaire totalement déplétée dans le noeud de 28 nm. Cette évolution est essentielle pour répondre aux attentes du marché des applications multimédias et portables dont les processeurs embarqués doivent être capables de répondre aux exigences de performances et de consommation les plus strictes de l'industrie et dont le rôle est déterminant pour offrir un affichage graphique époustouflants, des performances multimédia élevées et une connectivité large bande à haut débit, sans toutefois pénaliser l'autonomie de la batterie.

Nous  rappelons que le prix Général Ferrié 2012 a été attribué à 4 jeunes chercheurs du CEA-LETI et de ST microelectronics pour leurs travaux remarquables sur la technologie FD-SOI (Cf. CR de la Soirée des grands prix SEE).

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