| Février 2010 N°2 |
| MOSFET sur graphène épitaxié, ayant un cutoff de 100 GHz | |
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IBM ouvre une voie pour un éventuel remplacement des MESFETs AsGa ou InP, par des transistors sur graphène. La forte mobilité du graphène a été exploitée pour la réalisation de transistors. Des MOSFETs ont été fabriqués sur une quasi monocouche de graphène épitaxiée sur une tranche de carbure de silicium (SiC) semi-isolant de 2 pouces; une fréquence de cutoff de respectivement 53 et 100 GHz est mesurée pour une grille de 550 et 240 nanomètres respectivement. Pour comparaison, 100 GHz est aussi la fréquence de cutoff d'un MESFET AsGa de 180 nanomètres. |
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Les transistors sont fabriqués selon des processus habituels pour les semiconducteurs, et devraient, si l'industrialisation réussit, promettre des composants de hautes performances dans les années qui viennent.
Les précédentes réalisations de transistors graphène faisaient appel à des méthodes mécaniques compliquées, par exemple en décollant des couches de graphène d'un support graphite, avec des fréquences de cutoff ne dépassant pas 26 GHz.
Des transistors au graphène devraient, théoriquement, dépasser la fréquence de fonctionnement de 100 GHz.
Retrouvez ici l'abstract du papier d'IBM publié dans Science du 5 février | |
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